Заказы через корзину принимаются круглосуточно!
CALCELL CP-402 CP-402
745 грнBosch Tronic 8000T ES 050-5 1600W BO H1X-EDWRB Tronic 8000T ES 050-5 1600W BO H1X-EDWRB
9921 грнWhirlpool TDLR 60210 TDLR60210
15359 грнBosch SMS4ECI26E SMS4ECI26E
30317 грнHewlett Packard Portable SSD P500 1TB Black TLC USB 3.2 Type-C 1F5P4AA#ABB
3462 грнParblo Coast 22 Black COAST22
19968 грн3494 грн
Lexar So-Dimm DDR4 16GB 3200MHz CL22 LD4AS016G-B3200GSST
1968 грнUmidigi F3 SE 4/128GB Galaxy Blue F3 SE 4/128GB Galaxy Blue
5443 грн554 грн
Edler EDHM-6667 EDHM-6667
486 грн1589 грн
Samsung 55 Neo QLED QN70F 4K Vision AI Smart (QE55QN70F) 2025 QE55QN70F
31540 грн1809 грн
Minerva HORIZONR HORIZONR
5568 грн2093 грн
Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 2280 NVMe PCIe Gen4 x4 V-NAND TLC MZ-V9S1T0BW; SSD/HDD: NAND SSD M.2 2280 M.2 NVMe PCIe Gen4 x4 1000ГБайт 0об/мин
Варианты доставки
Условия
Оплата
Производитель / Модель / Код [1] | |
Производитель изделия | Samsung |
Модель | 990 EVO Plus 1TB M.2 2280 NVMe PCIe Gen4 x4 V-NAND TLC |
Код от производителя | MZ-V9S1T0BW |
Временное описание [1] | |
Описание | Внутрішній накопичувач SSD Samsung V-NAND 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW), SAMSUNG, MZ-V9S1T0BW |
Характеристики накопителей SSD/HDD [1] | |
Архитектура накопителя | NAND SSD |
Формат накопителя | M.2 2280 |
Интерфейс подключения накопителя | M.2 NVMe PCIe Gen4 x4 |
Объем накопителя | 1000 ГБайт |
Скорость вращения шпинделя | 0 об/мин |
Скорость чтения | 7150 МБайт/с |
Скорость записи | 6300 МБайт/с |
Время наработки на отказ | 1.5 млн. часов |
Характеристики, содержание и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления. В связи с этим отсутствие
заявленных в описании характеристик и/или комплектации товара не является причиной для вступления в силу гарантийных обязательств и предметом для
предъявления претензий. Информация, выложенная на нашем сайте, носит ознакомительный характер и содержит характеристики товара заявленные
производителем на момент составления описания.
В связи с нестабильностью рынка и колебанием валют конечную цену и наличие товара уточняйте у наших сотрудников.
Производитель / Модель / Код [1] | |
Производитель изделия | Samsung |
Модель | 990 EVO Plus 1TB M.2 2280 NVMe PCIe Gen4 x4 V-NAND TLC |
Код от производителя | MZ-V9S1T0BW |
Временное описание [1] | |
Описание | Внутрішній накопичувач SSD Samsung V-NAND 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW), SAMSUNG, MZ-V9S1T0BW |
Характеристики накопителей SSD/HDD [1] | |
Архитектура накопителя | NAND SSD |
Формат накопителя | M.2 2280 |
Интерфейс подключения накопителя | M.2 NVMe PCIe Gen4 x4 |
Объем накопителя | 1000 ГБайт |
Скорость вращения шпинделя | 0 об/мин |
Скорость чтения | 7150 МБайт/с |
Скорость записи | 6300 МБайт/с |
Время наработки на отказ | 1.5 млн. часов |
Характеристики, содержание и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления. В связи с этим отсутствие заявленных в
описании характеристик и/или комплектации товара не является причиной для вступления в силу гарантийных обязательств и предметом для предъявления претензий.
Информация, выложенная на нашем сайте, носит ознакомительный характер и содержит характеристики товара заявленные производителем на момент составления
описания.
В связи с нестабильностью рынка и колебанием валют конечную цену и наличие товара уточняйте у наших сотрудников.